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SKD210/08SKD210/08 热卖

场效应管(模块)

全新!

SEMIKRON

300

1+ ¥10.00

TM25DZ-HTM25DZ-H 热卖

场效应管(模块)

全新!

三菱

300

1+ ¥10.00

2MBI300N-0602MBI300N-060 热卖

IGBT

全新!

富士

300

1+ ¥1.00

PF500A-360PF500A-360 热卖

IGBT

全新!

LAMBDA

300

1+ ¥10.00

SEMIKRON

50

1+ ¥260.00

SGH40N60UFDSGH40N60UFD 热卖

IGBT

原装全新

FAIRCHILD仙...

500

1+ ¥17.00

FGL40N120ANDFGL40N120AND 热卖

IGBT

原装真品

FAIRCHILD仙...

300

1+ ¥28.00

FDA50N50FDA50N50 热卖

绝缘栅(MOS)场效应管

原装正品全新

FAIRCHILD

500

1+ ¥17.00

IXTH75N15IXTH75N15 热卖

绝缘栅(MOS)场效应管

原装全新

IXYS艾赛斯

200

1+ ¥16.00

FMH11N90EFMH11N90E 热卖

绝缘栅(MOS)场效应管

原装

FUJI

600

1+ ¥11.00

SPW47N60C3SPW47N60C3 热卖

IGBT

原装全新

INFINEON英飞...

200

1+ ¥41.00

FGA25N120ANTDFGA25N120ANTD 热卖

IGBT

原装正品全新

FSC

600

1+ ¥15.00

FGL60N100BNTDFGL60N100BNTD 热卖

绝缘栅(MOS)场效应管

原装全新

FAIRCHILD仙...

1000

1+ ¥16.00

2MBI150VH-170-502MBI150VH-170-50 热卖

IGBT

原装正品全新

富士

120

1+ ¥450.00

SPW17N80C3SPW17N80C3 热卖

场效应管(模块)

原装

INFINEON

1000

1+ ¥18.00

FDA24N50FDA24N50 热卖

绝缘栅(MOS)场效应管

原装正品全新

FAIRCHILD

500

1+ ¥11.00

IGW60T120IGW60T120 热卖

绝缘栅(MOS)场效应管

原装

INFINEON

500

1+ ¥31.00

FQA13N80FQA13N80 热卖

绝缘栅(MOS)场效应管

原装全新

FAIRCHILD仙...

200

1+ ¥15.50

ZUS252405 24V-5V/25WZUS252405 热卖

场效应管(模块)

ZUS25240524V-5V/25WZUW25240524V±5V/25WZUS15240524V-5V/15WZUW15240524V±5V/15WZUS10240524V-5V/10WZUW10240524V±5V/10WZUS6240524V-5V/6WZUW6240524V±5V/6WCBM-2405SF24V-5V/6WZS3240524V-5V/3WZUS3240524V-5V/3WZUW3240524V±5V/3W

COSEL电源模块

200

1+ ¥9.00

英飞凌原装FF200R12KE3 1200V IG...FF200R12KE3 热卖

场效应管(模块)

英飞凌原装FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT31200VIGBT模块最新到货英飞凌原装FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT31200VIGBT模块最新到货型号:FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3厂家:EUPEC/英飞凌EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3均属于EUPEC第三代IGBT有两种系列。后缀为“KE3”的址是低频系列,其最佳开关频率为lK一8KHz。1200VIGBT饱干和压降VcEisal=1.7V,最适合变频器应用。在变频器应用中,中国已完成用“KE3”系列代替“DLC”系列的工作。在“KE3”的基础上,采用浅沟槽和优化“FS”层离子注入浓度、厚度以及集电区掺朵浓度等,又开发出高频系州,以后缀“KT3”为标志。EUPEC“KT3”系弄在饱和压降不增加的情况下开关频率提高到15KHz,最适合于8KHz一15KHz的应川场合。EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3在开关频率FK≥8KHz应用中,“KT3”比“KE3”开关损耗降低20%左右。Infineon/EUPEC600V系列IGBT3后珊为“KE3”,是高频IGBT模块,开关频率可达到20KHz,饱和压降为1.50V,最高工作结温可高达175℃Infineon/EUPEC第三代IGBT,采用了沟槽栅及电场终止层(FS)两种新技术,EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3带来了IGBT芯片厚度大大减薄。传统1200VNPT—IGBT芯片厚度约为200gm,IGBT3后缀为“KE3”的,厚度为140~tm左右;后缀为“KT3”芯片厚度进一步减薄到120um左右;600VIGBT3其芯片厚度仅为70~tm左右,这样薄的晶片,加工工艺难度较大。lnfineon在超薄晶片加工技术方面在全球处于领先地位。Infineon/EUPECIGBT3采用了当今IGBT的最新技术(沟槽栅+电场终止层),EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3是目前最优异的IGBT产品,有些电力半导体厂家称这些技术为第五代,甚至称之为第八代IGBT技术。Infineon/EUPEC称之为第三代,正如在其型号中的电流标称一样,模块总足按Tc=80℃来标称,让产品来说话,让用户来评判。

英飞凌

500

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